据最新网络舆情数据显示，近期关于“上海微电子28nm浸没式DUV光刻机完成首批批量交付”的消息在半导体行业内引发了广泛关注。

对此，芯智讯发表文章进行了澄清，指出该消息存在多项重大事实错误。

文章首先对报道的信源提出质疑，指出该报道仅以“据报道”模糊表述，未提及任何具体的权威来源，这在涉及光刻机这一重大科技新闻时显得极为不严谨。

• 报道称“2026年1月，
• 上海微电子将在长三角半导体产业峰会上首次官宣SSA800系列实现全面量产”。
• 然而调查显示，该所谓的“长三角半导体产业峰会”并未获得任何权威媒体的报道，
• 相关的时间、地点及主办方等基本信息均无法查证。
• 上海微电子官方也并未发布相关公告。
• 目前网络上关于该峰会的所有信息，
• 均与“上海微电子官宣量产”相关的自媒体稿件相绑定。

另一个被质疑的说法是“2026年3月SEMICONChina展会上，上海微电子首次公开展示了SSA800样机”。据芯智讯记者回忆，自己当时在展会现场，发现上海微电子的展台上并未展示该设备。展会期间及结束后，也没有任何正规媒体对此事件进行报道。

💁‍♂️ 更为夸张的是“量产良率90%~95%”的说法。一位光刻机厂商的内部人士表示：“这是假消息，光刻机并不存在良率的概念。”光刻机作为芯片生产的核心设备，根本不具备“良率”这一指标。

即便是指用其生产芯片的良率，这一数字也显得过于夸大。值得注意的是，台积电在2011年量产28nm工艺后，直到2012年8月良率才勉强超过80%。

一位国内晶圆代工厂的从业者透露，目前SSA800系列尚未进入任何商业化晶圆厂，仍在集成电路研发中心（ICRD）进行测试验证。关于“首批批量交付”和“量产工艺验证”的说法均与实际情况不符。

据了解，SSA800实际上是近年来市场上频繁提及的国产“28nm光刻机”，其为一款193nm ArF浸没式光刻机，套刻精度控制在2.3~2.5nm，每小时可处理150片晶圆，其竞争对手为ASML的TWINSCAN NXT:1950i。后者的专用卡盘套刻精度为2.5nm，而混合匹配套刻精度为3.5nm，每小时可处理200片晶圆。

文章最后指出，期待国产光刻机的突破是每一个中国人的共同愿望，但越是渴望，越应保持理性的底线。虚假的“放卫星”不仅会误导公众，还将损害产业链的严肃性与踏实攻坚的精神。

真正的技术突破，永远不需要依赖炒作来证明自身的价值。

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