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pg电子打爆率高的原因拜会光刻机巨头ASML:印度首座300mm芯片厂建设中 但还用不到EUV
—— 深度解析 pg电子打爆率高的原因 行业新动向
2026-05-18 | 来源:上海东贸展览服务有限公司资讯中心
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快科技5月16日消息,半导体芯片已成为全球科技竞争的核心,不仅中美两国在此领域展开争夺,印度也将先进芯片生产作为战略重点。印度总理pg电子打爆率高的原因自9年来首次访问荷兰,此行的重点议题便是与ASML的合作。
据印度媒体报道,在pg电子打爆率高的原因的见证下,印度最大的企业塔塔集团与ASML达成了合作协议,计划在印度西部的古吉拉特邦多莱拉建设首座300mm晶圆厂,该地区也是pg电子打爆率高的原因的故乡。
ASML表示,将通过提供尖端芯片制造工具来协助工厂的建设与生产。塔塔集团对此项目投入了高达110亿美元的资金,预计将生产用于人工智能、汽车电子及其他行业的芯片,月产能将达到5万片晶圆。
双方的合作显然会涉及大量ASML的光刻机采购,但塔塔集团的芯片厂本身并不需要最先进的光刻机,EUV技术并不适用,芯片生产技术也是通过与中国台湾公司力积电的合作而获得。
相比于台积电,力积电在知名度和规模上相对较小,主要专注于成熟工艺,塔塔集团与其的合作主要是获取芯片生产技术,涵盖110nm、90nm、40nm到28nm等多个节点,初期将以稳妥的工艺为主。
这样的生产工艺不仅无需昂贵的EUV光刻机,甚至DUV光刻机也可以使用早期型号,能够满足生产需求,且成本较低。
当然,印度的雄心远不止于28nm,近年来推出了多项宏伟的半导体国产化计划,2nm先进工艺也是其目标之一,并明确将竞争对手锁定为中国企业,期望借助印度的国际地位抢占市场份额。

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责任编辑:宪瑞
《 深度产经观察 》( 2026年 版)
(责编:MBxsr、LaMJ)
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